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vorrätig: 57106
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NSVMMUN2232LT1G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 246mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | NSVMMUN2232LT1G-ND NSVMMUN2232LT1GOSTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 15 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Basisteilenummer | MMUN22**L |