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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DTC643TUT106
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Andere Namen | DTC643TUT106CT |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 820 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 600mA |
Basisteilenummer | DTC643 |