vorrätig: 59290
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BDV65-S
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-93 |
Serie | - |
Leistung - max | 3.5W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-218-3 |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 12A 3.5W Through Hole SOT-93 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 5A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 12A |