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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BUK9E6R1-100E,127
VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 349W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andere Namen | 568-9877-5 934066517127 BUK9E6R1100E127 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17460pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |