Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von ULN2003BN bereitgestellt werden.
vorrätig: 57102
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten ULN2003BN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Transistor-Typ | 7 NPN Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | 16-PDIP |
Serie | - |
Leistung - max | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andere Namen | 296-39834-5 ULN2003BN-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-PDIP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |