Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SI7901EDN-T1-E3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 50752
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI7901EDN-T1-E3
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 800µA |
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Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Leistung - max | 1.3W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.3A |