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vorrätig: 58848
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DTA015EMT2L
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | VMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Leistung - max | 150mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
Andere Namen | DTA015EMT2LTR |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20mA |