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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NE68119-T1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 10V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 3-SuperMiniMold (19) |
Serie | - |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-523 |
Andere Namen | NE68119 NE68119-ND NE68119CT NE68119T1 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Gewinnen | 10dB ~ 14dB |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 10V 65mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 7mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 65mA |
Basisteilenummer | NE68119 |