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ES3JB M4G
- Mega -Quelle #: MEGA-ES3JB M4G
- Hersteller: Taiwan Semiconductor
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 56203
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten ES3JB M4G
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 3A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
| Andere Namen | ES3JB M4G-ND ES3JBM4G |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 20 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
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ES3JB M4G FAQ
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Käuferlesen
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