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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI7121DN-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Andere Namen | SI7121DN-T1-GE3TR SI7121DNT1GE3 |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 27 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 30V 16A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |