Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SI7862ADP-T1-E3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 56742
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SI7862ADP-T1-E3
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 29A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.9W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7340pF @ 8V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 16V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 16V 18A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta) |