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DRA5115E0L
- Mega -Quelle #: MEGA-DRA5115E0L
- Hersteller: Panasonic
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 54878
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DRA5115E0L
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SMini3-F2-B |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-85 |
| Andere Namen | DRA5115E0L-ND DRA5115E0LTR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| Basisteilenummer | DRA5115 |
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