Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von DDTD113EU-7-F bereitgestellt werden.
vorrätig: 54682
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten DDTD113EU-7-F
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 33 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | DTD113 |