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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SB1215T-E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 150mA, 1.5A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TP |
Serie | - |
Leistung - max | 1W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 130MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 130MHz 1W Through Hole TP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 500mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |
Basisteilenummer | 2SB1215 |