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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PDTB123ET,215
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | TO-236AB (SOT23) |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 250mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | 1727-1702-2 568-11242-2 568-11242-2-ND 934058976215 PDTB123ET T/R PDTB123ET T/R-ND PDTB123ET,215-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | PDTB123 |