ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedRN2427TE85LF
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RN2427TE85LF
- Mega -Quelle #: MEGA-RN2427TE85LF
- Hersteller: TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 55407
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten RN2427TE85LF
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | S-Mini |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Leistung - max | 200mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen | RN2427(TE85L,F) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 90 @ 100mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 800mA |
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