Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von NE97733-T1B-A bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NE97733-T1B-A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 1GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 12dB |
Frequenz - Übergang | 8.5GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor PNP 12V 50mA 8.5GHz 200mW Surface Mount SOT-23 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 20mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |