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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PEMH15,115
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-666 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | 1727-2172-2 568-11970-2-ND 568-12334-2-ND 934058928115 PEMH15 T/R PEMH15 T/R-ND PEMH15,115-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 13 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |