vorrätig: 50482
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten TIP112G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | TIP112GOS |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 2W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 1A, 4V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2A |
Basisteilenummer | TIP11* |