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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MD51V65165E-50TAZ0AR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 84ns |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | DRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 50-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Andere Namen | MD51V65165E-50TA03A7 MD51V65165E-50TA03A7-ND MD51V65165E-50TAZ MD51V65165E-50TAZ0AR-ND MD51V65165E50TAZ0AR |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 2 (1 Year) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | DRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 25ns 50-TSOP II |
Basisteilenummer | MD51V65165E |
Zugriffszeit | 25ns |