Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von CY15B004J-SXE bereitgestellt werden.
vorrätig: 51290
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY15B004J-SXE
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Kb (512 x 8) |
Speicherschnittstelle | I²C |
Speicherformat | FRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Kb (512 x 8) I²C 3.4MHz 8-SOIC |
Uhrfrequenz | 3.4MHz |