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vorrätig: 58554
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2N6427
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 40V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 625mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Andere Namen | 2N6427-ND 2N6427OS |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20000 @ 100mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | 2N6427 |