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MBR200100CTR
- Mega -Quelle #: MEGA-MBR200100CTR
- Hersteller: GeneSiC Semiconductor
- Verpackung: Bulk
- Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 55421
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MBR200100CTR
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 100A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
| Andere Namen | MBR200100CTRGN |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Schottky |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 100V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5mA @ 20V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
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