Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MMDT5551-TP bereitgestellt werden.
vorrätig: 59448
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MMDT5551-TP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 160V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | MMDT5551-TPCT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
Basisteilenummer | MMDT5551 |