Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IXYP20N65C3D1M bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IXYP20N65C3D1M
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
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VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19ns/80ns |
Schaltenergie | 430µJ (on), 350µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | GenX3™, XPT™ |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns |
Leistung - max | 50W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 24 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | PT |
Gate-Ladung | 30nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 18A |