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IXZ631DF18N50
- Mega -Quelle #: MEGA-IXZ631DF18N50
- Hersteller: IXYS RF
- Verpackung: Tube
- Beschreibung: 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 34
Produktbeschreibung
Wir sind mit einem sehr wettbewerbsfähigen Preis den Distributor von IXZ631DF18N50 ab.Schauen Sie sich die neueste Pirce-, Inventar- und Vorlaufzeit in IXZ631DF18N50 an, indem Sie das schnelle RFQ -Formular verwenden.Unser Engagement für Qualität und Authentizität von IXZ631DF18N50 ist unerschütterlich, und wir haben strenge Qualitätsinspektions- und Lieferprozesse implementiert, um die Integrität von IXZ631DF18N50 zu gewährleisten.Hier finden Sie auch IXZ631DF18N50 -Datenblatt.
Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IXZ631DF18N50
| Spannungsversorgung | 8 V ~ 18 V |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 10-SMD |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 3.4ns, 1.65ns |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 10-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 500V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| detaillierte Beschreibung | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 10-SMD |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 95A, 95A |
| Ladestrom | Single |
| Kalifornien Prop 65 | Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Chemicals which is known to the State of California to cause cancer and birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov. |
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