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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FQPF8N80CYDTU
Spannung - Prüfung | 2050pF @ 25V |
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Spannung - Durchschlag | TO-220F-3 (Y-Forming) |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (Max) | 10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | QFET® |
RoHS Status | Tube |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8A (Tc) |
Polarisation | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 23 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | FQPF8N80CYDTU |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45nC @ 10V |
IGBT-Typ | ±30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5V @ 250µA |
FET-Merkmal | N-Channel |
Expanded Beschreibung | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 800V |
Kapazitätsverhältnis | 59W (Tc) |