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vorrätig: 57806
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NSVMMBT5401LT3G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 150V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Leistung - max | 225mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | NSVMMBT5401LT3G-ND NSVMMBT5401LT3GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 36 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 300MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 500mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |