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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 70P255L65BYGI8
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 65ns |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 100-CABGA (6x6) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 100-TFBGA |
Andere Namen | IDT70P255L65BYGI8 IDT70P255L65BYGI8-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Kb (8K x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6) |
Zugriffszeit | 65ns |