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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NE67818-A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 6V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Serie | - |
Leistung - max | 200mW |
Verpackung | Strip |
Verpackung / Gehäuse | SC-82A, SOT-343 |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.7dB @ 2GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 13dB |
Frequenz - Übergang | 12GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Surface Mount |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 75 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |