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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten AT-42035G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 35 micro-X |
Serie | - |
Leistung - max | 600mW |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | 4-SMD (35 micro-X) |
Andere Namen | 516-1858 AT-42035G-ND |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 10dB ~ 13.5dB |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 35 micro-X |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 35mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80mA |