vorrätig: 56619
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SPP80N10L
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 58A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Andere Namen | SP000014349 SPP80N10LX |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |