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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten BFR193E6327HTSA1
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 580mW |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | BFR193E6327HTSA1DKR BFR193E6327INDKR BFR193E6327INDKR-ND |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 10dB ~ 15dB |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount SOT-23-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 30mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80mA |
Basisteilenummer | BFR193 |