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vorrätig: 58205
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten NSS12501UW3T2G
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 400mA, 4A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | 3-WDFN (2x2) |
Serie | - |
Leistung - max | 875mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 3-WDFN Exposed Pad |
Andere Namen | NSS12501UW3T2GOSTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 5A 150MHz 875mW Surface Mount 3-WDFN (2x2) |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 200 @ 2A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |
Basisteilenummer | NSS12501 |