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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MPQ6502
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 30mA, 300mA |
Transistor-Typ | 2 NPN, 2 PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-116 |
Serie | - |
Leistung - max | 650mW |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andere Namen | MPQ6426 |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 300mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 30nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |