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MJD31T4G
- Mega -Quelle #: MEGA-MJD31T4G
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: TRANS NPN 40V 3A DPAK
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 51412
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MJD31T4G
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 40V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 1.56W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | MJD31T4G-ND MJD31T4GOSTR |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 11 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 10 @ 3A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3A |
| Basisteilenummer | MJD31 |
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MJD31T4G FAQ
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