Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR bereitgestellt werden.
vorrätig: 53363
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 40ns |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 24-TFBGA (6x8) |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 128Mb (16M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | PSRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mb (16M x 8) Parallel 100MHz 40ns 24-TFBGA (6x8) |
Uhrfrequenz | 100MHz |
Zugriffszeit | 40ns |