Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von IS43DR86400C-3DBLI bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten IS43DR86400C-3DBLI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TWBGA (8x10.5) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5) |
Uhrfrequenz | 333MHz |
Zugriffszeit | 450ps |