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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SC5415AE-TD-E
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
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Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | PCP |
Serie | - |
Leistung - max | 800mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
Andere Namen | 2SC5415AE-TD-E-ND 2SC5415AE-TD-EOSTR |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen | 9dB |
Frequenz - Übergang | 6.7GHz |
detaillierte Beschreibung | RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 90 @ 30mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |