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FDMJ1028N
- Mega -Quelle #: MEGA-FDMJ1028N
- Hersteller: AMI Semiconductor/onsemi
- Verpackung: Tape & Reel (TR)
- Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
- RoHS-konform: Bleifrei / RoHS-konform
- Datasheet:
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vorrätig: 58810
Produktbeschreibung
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Spezifikation
Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FDMJ1028N
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Leistung - max | 800mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A |
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FDMJ1028N FAQ
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Käuferlesen
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- Test und Messung
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