Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von SIA465EDJ-T1-GE3 bereitgestellt werden.
vorrätig: 52805
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SIA465EDJ-T1-GE3
VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 19W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SC-70-6 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |