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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten FQB9P25TM
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 4.7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | FQB9P25TM-ND FQB9P25TMTR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 250V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.4A (Tc) |