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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT44K32M18RB-107E:B
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.28 V ~ 1.42 V |
Technologie | DRAM |
Serie | - |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 576Mb (32M x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns |
Uhrfrequenz | 933MHz |
Zugriffszeit | 8ns |