Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MR25H10CDF bereitgestellt werden.
vorrätig: 53008
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MR25H10CDF
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 8-VDFN Exposed Pad |
Andere Namen | 819-1039 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Speicherschnittstelle | SPI |
Speicherformat | RAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | MRAM (Magnetoresistive RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Uhrfrequenz | 40MHz |