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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten PSMN102-200Y,115
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 113W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
Andere Namen | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1568pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21.5A (Tc) |