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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten SUD35N10-26P-E3
VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
Verpackung | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | SUD35N10-26P-E3DKR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |