Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E bereitgestellt werden.
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Technologie | FLASH - NAND |
Serie | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FLASH |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel |