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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten CY14B116M-BZ45XI
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 45ns |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 165-FBGA (15x17) |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 165-LBGA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 9 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 45ns 165-FBGA (15x17) |
Zugriffszeit | 45ns |