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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten 2SD14850P
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 300mA, 3A |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | TOP-3F-A1 |
Serie | - |
Leistung - max | 3W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | TOP-3F |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 20MHz |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 20MHz 3W Through Hole TOP-3F-A1 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 1A, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 5A |