Nach der Bestellung kann das Etikett und die Körpermarkierung von MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR bereitgestellt werden.
vorrätig: 55451
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Standardverpackung integrierte Schaltkomponenten MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
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Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie | FLASH - NAND |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Andere Namen | MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR-ND MT29F64G08CBCDBJ4-6R:DTR |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 64Gb (8G x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) Parallel 167MHz |
Uhrfrequenz | 167MHz |